復旦�j学ミクロ電子学院の張ﾅ教�b率いるチームが開発した、世�c初の半浮�^ゲートトランジスタ（SFGT）に関する研�|�b文が、このほどサイエンス誌に掲載された。中国人科学�vがこの権威ある学術誌でミクロ電子����の研�|成果を発表するのは、これが初となった。同成果はミクロ電子分野の�_�jかつオリジナリティあるイノベーションであり、中国の集積�v路のコア�\術掌�曄∪つcチップデザイン・���]分野における核心的��争��の向�屬鮓絏，靴垢襦�人�c日報が伝えた。

　トランジスタは集積�v路の基礎的な����だ。�垉鄂��蚊Q間の加工�\術の進歩により、トランジスタのサイズは縮小を��け、その�駘�的極限に�Zづいている。集積度の�峺�により、チップのエネルギー密度が高くなりすぎ、放�Xが�Mしくなっている。そこで�Q国の科学�vと業�cは、材料・電気�v路の設��で画期的な進�tを実現しようとしており、同時に新構�]・新原理に基づくトランジスタを積極的に模索し、現在の�\術的なボトルネックを�]破しようとしている。張教�bのチームは、トンネル電�c効果トランジスタ（TFET）の二�|類の原理を�Tびつけ、「半浮�^ゲート」と�}ばれる新型基礎����を作り出した。同����は巧みな構�]、高性�Α�低エネルギー消�Jという��長を�eち、CPUのレジスタ、メモリポート、イメージセンサなどに幅広く�W��でき、����性�Δ魍很薪�に向�屬気擦襪海箸�可�Δ澄�

　同分野の�_要な����はほぼ、マイクロン・テクノロジ、サムスン、インテル、ソニーなどの�L外企業によって把�曚気譴討�り、中国は独�Oの��的財�堍と使��可�Δ�����は少ない。半浮�^ゲートトランジスタは現在主流となっている集積�v路の���]�\術との間に互換性を�eち、�噞化の��来性が高い。その�邵濺�な�x場��模は、300億ドル以�屬肪�すると見られる。同チームは現在、同����の改良と電気�v路の設��を開始している。同����は、中国が集積�v路のコア����の�\術を掌�曚垢襪海箸��任后�中国の新型ミクロ電子�����\術の研�|開発における�kつの�I�`となった。（��集YF）

　「人�c��日本語版」2013�Q8月13日